比emmc5.1快20倍 UFS 3.0闪存正式发布：2.9GB／s

UFS3.0今天正式发布，双通道双向读写，接口带宽高达23.2千兆位，是UFS 2.1的两倍！

固态技术协会(JEDEC)发布通用闪存(UFSUFSHCI，万能闪存)3.0标准(JESD220D，JESD223D)和UFS存储卡1.1标准(JESD220-2A)

简而言之，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽增加到11.6Gbps，是HS-G3(UFS 2.1)性能的两倍

由于UFS具有双通道双向读写的最大优势，接口带宽高达23.2千兆位，即2.9千兆位/秒

互连层的设计严格遵循MIPI(移动工业处理器接口)标准协议，其中物理层基于MIPI M-PHY 4.1版，传输层基于MIPI Uniprosm 1.8版

在其他方面，UFS 3.0支持更多分区(UFS 2.1为8)，纠错性能提高，电压为2.5V，并支持最新的NAND闪存介质 面对自动驾驶等工业领域，工作温度从零下40摄氏度到105摄氏度不等。

对于UFSHCI v3.0规范，简化交通设计供主控制造商参考。

至于UFS存储卡v1.1，它与HS-Gear1/2/3完全兼容，所以存储速度可以达到最大1.5 GB/s

此外，三星宣布将在2018年第一季度推出UFS 3.0接口产品。 自小龙845、艾诺斯9810等。没有证据支持UFS 3.0接口，目前还不知道它们是对应于银河S9终端还是仅仅是主控制和闪存等组件。